Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( SOT-54 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corrente del collettore: 250mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 25. Marcatura sulla cassa: B2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.225mW. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD B2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 18 ns. Tf(min): 12us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V

Transistor NPN, 1A, 120V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Spec info: TO39. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Corrente del collettore: 2.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 7A, 60V. Corrente del collettore: 7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 130V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 8A, 150V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 330V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, 350V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Spec info: 33 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 9A, TO-247, TO-247FP, 800V. Corrente del collettore: 9A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 9A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF ( SOT399 ), 800V. Corrente del collettore: 9A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF ( SOT399 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 5.0V. Spec info: adatto per alimentare televisori SONY. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Commutazione ad alta tensione e ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 13. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 25A. Nota: Tensione di isolamento 2500V. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor di potenza. Tf(massimo): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: TV-HA, hi-res (F). Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: MONITOR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor di potenza al silicio. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 12A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: (F). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P(H)IS. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 145pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.35us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V

Transistor NPN, 12A, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: SOT199 (F). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V