Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 750. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 7us. Tf(min): 0.9us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BDW84C

Transistor NPN, 12A, TO-220, 12A, TO-220AB, 100V, 100V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Marcatura del produttore: BDW93C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 20 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potenza: 80W. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Funzione: transistor complementare (coppia) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor NPN, 100V, 12A, TO-220FP. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220FP. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potenza: 33W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 12A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW93C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Guadagno hFE massimo: 750. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 2.5V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporato: sì. Potenza: 70W. Frequenza massima: 20MHz. Numero di terminali: 3. Funzione: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complementare (coppia) BDX34C

Transistor NPN, 80V, 8A, TO-220-F. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220-F. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potenza: 20W. Frequenza massima: 20MHz

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: +150°C. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor Darlington di potenza complementari. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potenza: 60W. Frequenza massima: 20MHz. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) BDX54C. Funzione: amplificatore audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: alimentatore a commutazione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. RoHS: NINCS. Td(spento): 3.5us. Td(acceso): 0.5us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 750V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 25V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Costo): 3.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1100 MHz. Funzione: TV-IF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Resistenza B: transistor NPN. Resistenza BE: RF-POWER. C(in): 25V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN. Funzione: TV-IF-reVHF. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BF240. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.22W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Costo): 2pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BF421. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 100mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor complementare (coppia) BF423. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 5.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Funzione: VID-L. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 300mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 0.05A, 400V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: TO-93