Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 6A, SOT-82, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: SOT-82. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Nota: >750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-126, 22V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 22V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, 45V, TO-126, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 4A. Tensione collettore-emettitore VCEO: 45V. Alloggiamento: TO-126. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD438

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 45V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, SOT-32, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-32. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD440

Transistor NPN, 80V, 4A, TO-126. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz

Transistor NPN, 4A, 80V, 4A, TO-126, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Marcatura del produttore: BD441G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD649. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Dissipazione massima Ptot [W]: 62.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, 45V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD677. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD677A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD677AG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD679. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.8V. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) BD680A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 4A. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Alloggiamento: TO-126. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporato: sì. Potenza: 40W. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 750. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD682

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD681G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD809G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 90W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza NPN. Resistenza BE: 100V. C(in): 15A. Costo): 90W. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDP949. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: 1. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Funzione: hFE 1000. Spec info: transistor complementare (coppia) BDT64C. Diodo BE: sì. Diodo CE: sì

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDV65BG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW42G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 85W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-93, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-93. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): SOT-93. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW83C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C