Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP 5516. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP52-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BH-10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 130 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP56/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP53-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BH-10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 130 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BH. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 130 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 60 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: XGs. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 10k Ohms. Resistenza BE: 10k Ohms. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Transistor con resistenza di polarizzazione incorporata. Guadagno hFE minimo: 70. Marcatura sulla cassa: XCs. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 1V. Spec info: serigrafia/codice CMS XCs. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor Darlington NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: EF. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Nota: >420. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCW60RC. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: U1. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 125V. Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Transistor NPN, Applicazioni AF e commutazione. Guadagno hFE massimo: 63. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: EKs. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX42. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: bM. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: amplificatori audio e video. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 1.5A. Marcatura sulla cassa: BH. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD BH

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: amplificatori audio e video. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 63. Ic(impulso): 1.5A. Nota: serigrafia/codice SMD BK. Marcatura sulla cassa: BK. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX53-10

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BL. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Nota: serigrafia/codice SMD BL. Marcatura sulla cassa: BL. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX53-16

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: AK*. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW)

Transistor NPN, 100mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 200A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.34W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.75V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-18, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Custodia (standard JEDEC): TO-206AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCY59-9. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 3A, 60V. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 18.5W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatori audio e applicazioni. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Corrente del collettore: 1.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD139. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140