Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: bM. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: amplificatori audio e video. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 1.5A. Marcatura sulla cassa: BH. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD BH. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: amplificatori audio e video. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 63. Ic(impulso): 1.5A. Nota: serigrafia/codice SMD BK. Marcatura sulla cassa: BK. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX53-10. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BL. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Nota: serigrafia/codice SMD BL. Marcatura sulla cassa: BL. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX53-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: AK*. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 200A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.34W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.75V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-18, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-206AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCY59-9. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 3A, 60V. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 18.5W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatori audio e applicazioni. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD139. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 1.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD139-10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO126, 375V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 3mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 3mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD179G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.03W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.5A, 100V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 2A, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD237. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD237G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD240C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD242C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V