Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SC-70, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SC-70. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 65V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Marcatura sulla cassa: 8AC. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 250mV. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 600mV. Vebo: 6V. Spec info: SMD 8AC. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 1.5pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 110. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 1E. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Spec info: serigrafia/codice SMD 1E. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 1F

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1F. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1F. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-363 ( SC-88 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-363. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: DUAL NPN & PNP. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 13. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP & NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 6. Spec info: serigrafia/codice SMD 13. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SC-88, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SC-88. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): SOT-363. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 13. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.22W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: coppia di transistor NPN e PNP

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 4.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 250. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.225W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 1G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1g. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 1K

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1g. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1g. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.31W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1Ls. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1L. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SC-70, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SC-70. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): SOT-323. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 2G

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Costo): 22pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Guadagno hFE massimo: 375. Guadagno hFE minimo: 85. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: CAC. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD CAC. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Costo): 22pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Guadagno hFE massimo: 375. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: CDC. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD CDC. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), TSSOP6, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: TSSOP6. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: M1. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: coppia di transistor NPN e PNP

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 1.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 130 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP54/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP51-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS