Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 160000. Guadagno hFE minimo: 8000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Spec info: VEBO 12V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: uso generale. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 1.2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor Darlington NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC517. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC517. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 1.2A, TO-92, 30V, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corrente del collettore: 1.2A. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore VCEO: 30V. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Potenza: 0.625W. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 90. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 100mA, 80V, 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 0.2A. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC546B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Potenza: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 65V, 0.1A, TO-92. Tensione collettore-emettitore VCEO: 65V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Potenza: 0.5W

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 90. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC557A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC547B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC557B

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC547B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): TO-226. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 270. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC557C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC547C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC547C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC547C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Spec info: transistor complementare (coppia) BC558B

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC548B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC548C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC549C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 2.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC560B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS