Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 6A, 120V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: B=1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 120V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF/SL. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 60V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB764. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 6A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SD871. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W

Transistor NPN, 3A, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Io-sab. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 7A. Marcatura sulla cassa: D882. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB772. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, M31/J, 7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M31/J. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 330V/200V. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: hFE 4000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Spec info: TO-126. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.02A, 120V. Corrente del collettore: 0.02A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Amplificatore di uscita AF. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 340. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Vebo: 7V

Transistor NPN, saldatura PCB, D8/C, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220C. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Fast-switching. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: D13009K. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: D209L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(min): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126F, 490V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 490V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 20. Guadagno hFE minimo: 16. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: 4202BD. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.18V. Vebo: 13V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-323, 40mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-323. Corrente collettore Ic [A], max.: 40mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta frequenza. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 5.5V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2.4GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Resistenza B: NINCS. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-18. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 80pF. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: per applicazioni di media potenza e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC161-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 240. Nota: ( E,C,B ). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN