Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA Hi-r. Nota: Vce(sat)=5V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: TO-220. Guadagno hFE massimo: 12000. Guadagno hFE minimo: 5000. Marcatura sulla cassa: D2589. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1659. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, 2A, TO-220, 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: NINCS. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Funzione: 2A. Ic(impulso): 5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 3. Ic(impulso): 7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 22W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-1, 300mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-1. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V/80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.7A, 25V. Corrente del collettore: 0.7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Funzione: uso generale. Nota: hFE 120...240. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Spec info: MONITOR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 30W

Transistor NPN, saldatura PCB, D18/C, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 12A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SD551. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W

Transistor NPN, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 120V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB631K. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-236, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-236. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 700mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 2A. Nota: 9mm. Marcatura sulla cassa: D667. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB647. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, 100V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB682. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB688. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, 600V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V. Corrente del collettore: 0.7A. Alloggiamento: TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W