Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA (isolato). Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Corrente del collettore: 7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA (isolato). Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 3.5A, 600V. Corrente del collettore: 3.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 700V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Guadagno hFE massimo: 15. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 17A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/SL. Nota: hFE 100...200. Tipo di transistor: NPN. Spec info: 2SD1609-C

Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Ic(impulso): 4A. Nota: transistor complementare (coppia) 2SB1123S. Marcatura sulla cassa: DF. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor epitassiale planare al silicio . Tf(massimo): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DF. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 60V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Nota: hFE 200...400. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Tipo di transistor: NPN. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DF, transistor complementare (coppia) 2SB1123T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Ic(impulso): 6A. Marcatura sulla cassa: DG. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor al silicio planari epitassiali". Tf(massimo): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DG

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO PCP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: corrente continua elevata, driver relè, driver lampada. Guadagno hFE massimo: 4000. Guadagno hFE minimo: 3000. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: DI. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.9V. Vebo: 10V. Spec info: serigrafia/codice SMD DI, transistor complementare (coppia) 2SB1126. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 30 v. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Nota: hFE 3000...4000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Tipo di transistor: NPN. Funzione: Corrente CC elevata, driver relè, controllo della regolazione della tensione. Spec info: serigrafia/codice SMD DJ

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO--PCP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DK, hFE 120...200

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO--PCP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 180. Id(imp): 8A. Marcatura sulla cassa: DK. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: serigrafia/codice SMD DK

Transistor NPN, 3.5A, 800V. Corrente del collettore: 3.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 800V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: transistor bipolare. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: DAQ. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD DAQ

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220ML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 70. Id(imp): 12A. Nota: transistor complementare (coppia) 2SB1135. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220ML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 70. Id(imp): 15A. Nota: transistor complementare (coppia) 2SB1136. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 40V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-E-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: NF/E (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1186A