Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-98, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V/30V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-98, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V/30V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/12V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/12V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-39, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/30V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.68W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-98, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-98, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/30V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 232. Guadagno hFE minimo: 50. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC829. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/25V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/25V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/35V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, A21/B, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: A21/B. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V/10V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.12W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1000V/500V. Dissipazione massima Ptot [W]: 22W

Transistor NPN, 0.2A, 60V. Corrente del collettore: 0.2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 220 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, 50V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.7A, 20V. Corrente del collettore: 0.7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: lo-sab . Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza audio, convertitore DC-DC. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB817. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: inverter ad alta velocità, convertitori, low-sat. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 70. Ic(impulso): 15A. Marcatura sulla cassa: D1062. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB826. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Costo): 200pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 230. Guadagno hFE minimo: 60. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 70V

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: sostituire. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Spec info: sostituire. Tipo di transistor: NPN