Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 12A, 600V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Vce(sat) 3V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Nota: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ), 80V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Ic(impulso): 10A. Marcatura sulla cassa: C5103. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Funzione: Driver del motore, driver LED. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1952

Transistor NPN, 10A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: MONITOR HA,Hi-res. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: C5129. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: tempo di caduta 0,15...03us (64kHz). Diodo CE: sì

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Funzione: HA, Hi-res. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F2A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 40A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Spec info: Monitor -HA

Transistor NPN, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Funzione: Horizontal Deflection Output, high speed Switch

Transistor NPN, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: funzionamento veloce, per deflessione orizzontale (TV). Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5149. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Spec info: Tipo MESA triplo diffuso

Transistor NPN, 10A, 700V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 3V max. Nota: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Spec info: TO-3P (Plastic). Diodo CE: sì

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 50. Marcatura sulla cassa: C5171. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.16V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1930. Funzione: TV, SL. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, 120V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1940

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Costo): 170pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: C5198 O. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1941. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 200pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: C5200 (Q). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1943. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 230V, 15A, TO-264. Tensione collettore-emettitore VCEO: 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Frequenza massima: 30MHz. Potenza: 150W

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 5. Marcatura sulla cassa: C5242. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1962. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1700V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 12:1. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo mesa a tripla diffusione . Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, 800V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Display-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistenza BE: 43 Ohms. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.1 ns. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Per deflessione orizzontale ad alta risoluzione. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Spec info: Display-HA MONITOR. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 20A, 800V. Corrente del collettore: 20A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 8.729.033.99. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 15A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 15A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 35A. Marcatura sulla cassa: C5302. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: velocità elevata (tf=100ns tipico)

Transistor NPN, saldatura PCB, D35/B, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1987. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92S, 50V. Corrente del collettore: 150mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92S. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Ic(impulso): 400mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA608. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: High Switching, Horizontal Deflection out. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 4.3. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res