Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 8A, 600V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA, Hi-res. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 8A, 600V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA, Hi-res. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, saldatura PCB, M31/J, 12A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M31/J. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W

Transistor NPN, 15A, 800V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA hi-def.. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Spec info: MONITOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 400V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: Applicazioni per driver ad alta tensione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Spec info: hFE 100...200. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 450V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: 500/2200ns. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 600V

Transistor NPN, 0.065A, 10V. Corrente del collettore: 0.065A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF. Spec info: 9000MHZ. Potenza: 200mW. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 1.5V

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: 2SD4106M. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: C4107. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220F, 120V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 70. Ic(impulso): 14A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 0.7A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 270 MHz. Funzione: hFE1 1500, hFE2 600 . Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SMV-5, 0.15A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMV-5. Corrente collettore Ic [A], max.: 0.15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: doppio transistor bipolare NPN. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 5. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 80 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 3A, 800V. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Funzione: (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Funzione: Transistor di potenza di commutazione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: Serie HFX. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 150V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: S-L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1633. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Corrente del collettore: 0.3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Amplificatore VHF a banda larga. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): FM20 (TO220F). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Transistor NPN ad alta tensione per applicazioni audio e generiche.. Guadagno hFE minimo: 60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1668. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, 120V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1671. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 10A, 140V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1672. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V

Transistor NPN, 15A, 160V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1673. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: SMPS. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1695. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1695. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): FM20 (TO220F). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso NPN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V