Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
Semiconduttori Transistor
Transistor bipolari NPN

Transistor bipolari NPN

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BSP452-Q67000-S271

BSP452-Q67000-S271

Transistor NPN, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo sc...
BSP452-Q67000-S271
Transistor NPN, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Interruttore di alimentazione intelligente sul lato alto". Equivalenti: ISP452. RoHS: sì. Spec info: miniPROFET. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN
BSP452-Q67000-S271
Transistor NPN, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Interruttore di alimentazione intelligente sul lato alto". Equivalenti: ISP452. RoHS: sì. Spec info: miniPROFET. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN
Set da 1
3.31€ IVA incl.
(2.71€ Iva esclusa)
3.31€
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BSP52T1GDARL

BSP52T1GDARL

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamen...
BSP52T1GDARL
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-261AA. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AS3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
BSP52T1GDARL
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-261AA. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AS3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
0.83€ IVA incl.
(0.68€ Iva esclusa)
0.83€
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BSR14-FAI

BSR14-FAI

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiament...
BSR14-FAI
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: U8. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
BSR14-FAI
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: U8. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 10
1.81€ IVA incl.
(1.48€ Iva esclusa)
1.81€
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BSR43TA

BSR43TA

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia...
BSR43TA
Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. C(in): 90pF. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Driver a media potenza, solenoidi, relè e attuatori e moduli CC/CC. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: AR4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: serigrafia/codice SMD AR4. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 1000 ns. Tr: 250 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
BSR43TA
Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. C(in): 90pF. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Driver a media potenza, solenoidi, relè e attuatori e moduli CC/CC. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: AR4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: serigrafia/codice SMD AR4. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 1000 ns. Tr: 250 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
Set da 1
0.60€ IVA incl.
(0.49€ Iva esclusa)
0.60€
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BSV52

BSV52

Transistor NPN, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corrente del collettore: 250mA. All...
BSV52
Transistor NPN, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corrente del collettore: 250mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 25. Marcatura sulla cassa: B2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.225mW. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD B2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 18 ns. Tf(min): 12us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V
BSV52
Transistor NPN, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corrente del collettore: 250mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 25. Marcatura sulla cassa: B2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.225mW. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD B2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 18 ns. Tf(min): 12us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V
Set da 10
1.32€ IVA incl.
(1.08€ Iva esclusa)
1.32€
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BSX47

BSX47

Transistor NPN, 1A, 120V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Q...
BSX47
Transistor NPN, 1A, 120V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Spec info: TO39. Tipo di transistor: NPN
BSX47
Transistor NPN, 1A, 120V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Spec info: TO39. Tipo di transistor: NPN
Set da 1
1.04€ IVA incl.
(0.85€ Iva esclusa)
1.04€
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BU125-ST

BU125-ST

Transistor NPN, 7A, 60V. Corrente del collettore: 7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Qua...
BU125-ST
Transistor NPN, 7A, 60V. Corrente del collettore: 7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 130V
BU125-ST
Transistor NPN, 7A, 60V. Corrente del collettore: 7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 130V
Set da 1
2.48€ IVA incl.
(2.03€ Iva esclusa)
2.48€
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BU2508DF-PHI

BU2508DF-PHI

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-247. Custod...
BU2508DF-PHI
Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Spec info: 33 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
BU2508DF-PHI
Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Spec info: 33 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
Set da 1
3.79€ IVA incl.
(3.11€ Iva esclusa)
3.79€
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BU2520AF-PHI

BU2520AF-PHI

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. C...
BU2520AF-PHI
Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
BU2520AF-PHI
Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
Set da 1
4.59€ IVA incl.
(3.76€ Iva esclusa)
4.59€
Quantità in magazzino : 47
BU2525DF

BU2525DF

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-247. Cust...
BU2525DF
Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
BU2525DF
Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
Set da 1
2.72€ IVA incl.
(2.23€ Iva esclusa)
2.72€
Quantità in magazzino : 27
BU2525DX

BU2525DX

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V. Corrente del collettore: 12A. Allog...
BU2525DX
Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P(H)IS. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 145pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.35us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V
BU2525DX
Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P(H)IS. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 145pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.35us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V
Set da 1
3.40€ IVA incl.
(2.79€ Iva esclusa)
3.40€
Quantità in magazzino : 18
BU2527DX

BU2527DX

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggia...
BU2527DX
Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
BU2527DX
Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
Set da 1
2.87€ IVA incl.
(2.35€ Iva esclusa)
2.87€
Quantità in magazzino : 16
BU2708AX

BU2708AX

Transistor NPN, 8A, 825V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Q...
BU2708AX
Transistor NPN, 8A, 825V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: 4.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V
BU2708AX
Transistor NPN, 8A, 825V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: 4.8us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V
Set da 1
2.87€ IVA incl.
(2.35€ Iva esclusa)
2.87€
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BU2720AX

BU2720AX

Transistor NPN, 10A, 825V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V....
BU2720AX
Transistor NPN, 10A, 825V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: 7.4us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V
BU2720AX
Transistor NPN, 10A, 825V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 825V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Spec info: 7.4us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V
Set da 1
5.78€ IVA incl.
(4.74€ Iva esclusa)
5.78€
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BU2725DF

BU2725DF

Transistor NPN, 12A, 1700V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1700...
BU2725DF
Transistor NPN, 12A, 1700V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor di potenza. Nota: MONITOR 16KHz. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F). Tipo di transistor: NPN
BU2725DF
Transistor NPN, 12A, 1700V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor di potenza. Nota: MONITOR 16KHz. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F). Tipo di transistor: NPN
Set da 1
3.22€ IVA incl.
(2.64€ Iva esclusa)
3.22€
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BU406G

BU406G

Transistor NPN, 7A, TO-220, 200V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio coll...
BU406G
Transistor NPN, 7A, TO-220, 200V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 400V
BU406G
Transistor NPN, 7A, TO-220, 200V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 400V
Set da 1
2.51€ IVA incl.
(2.06€ Iva esclusa)
2.51€
Quantità in magazzino : 4
BU413

BU413

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrent...
BU413
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 175V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W
BU413
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 175V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W
Set da 1
2.54€ IVA incl.
(2.08€ Iva esclusa)
2.54€
Quantità in magazzino : 2
BU415A

BU415A

Transistor NPN, 12A, 375V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V....
BU415A
Transistor NPN, 12A, 375V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V
BU415A
Transistor NPN, 12A, 375V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V
Set da 1
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Transistor NPN, 12A, 400V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V....
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Transistor NPN, 12A, 400V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V
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Transistor NPN, 12A, 400V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V
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Transistor NPN, 6A, 375V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Q...
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Transistor NPN, 6A, 375V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-SN. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V
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Transistor NPN, 6A, 375V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L TV-SN. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiame...
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA/Monitor. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA/Monitor. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggia...
BU4525AX
Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV/Monitor. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Spec info: CTV-HA (isolato). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV/Monitor. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Spec info: CTV-HA (isolato). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 2.5A, 700V. Corrente del collettore: 2.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700...
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Transistor NPN, 2.5A, 700V. Corrente del collettore: 2.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 2.5A, 700V. Corrente del collettore: 2.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Q...
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Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA SMPS. Nota: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
BU506D
Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA SMPS. Nota: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Q...
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Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: TO-220F (SOT186). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: TO-220F (SOT186). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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