Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
Semiconduttori Transistor
Transistor bipolari NPN

Transistor bipolari NPN

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BD663

BD663

Transistor NPN, 10A, 45V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Q...
BD663
Transistor NPN, 10A, 45V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN
BD663
Transistor NPN, 10A, 45V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: NPN
Set da 1
1.02€ IVA incl.
(0.84€ Iva esclusa)
1.02€
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BD679

BD679

Transistor NPN, SOT32, 80V. Alloggiamento: SOT32. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Tipo: tr...
BD679
Transistor NPN, SOT32, 80V. Alloggiamento: SOT32. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Tipo: transistor Darlington. Polarità: NPN. Potenza: 40W. VCBO di tensione-base Collector: 80V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Corrente massima 1: 4A. Serie: BD679
BD679
Transistor NPN, SOT32, 80V. Alloggiamento: SOT32. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Tipo: transistor Darlington. Polarità: NPN. Potenza: 40W. VCBO di tensione-base Collector: 80V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Corrente massima 1: 4A. Serie: BD679
Set da 1
1.72€ IVA incl.
(1.41€ Iva esclusa)
1.72€
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BD679A

BD679A

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento...
BD679A
Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD680A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.8V
BD679A
Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD680A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.8V
Set da 1
0.79€ IVA incl.
(0.65€ Iva esclusa)
0.79€
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BD681

BD681

Transistor NPN, 100V, 4A, TO-126. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore...
BD681
Transistor NPN, 100V, 4A, TO-126. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporato: sì. Potenza: 40W
BD681
Transistor NPN, 100V, 4A, TO-126. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Diodo incorporato: sì. Potenza: 40W
Set da 1
1.63€ IVA incl.
(1.34€ Iva esclusa)
1.63€
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BD681G

BD681G

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corr...
BD681G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD681G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
BD681G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD681G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
0.72€ IVA incl.
(0.59€ Iva esclusa)
0.72€
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BD789

BD789

Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Qua...
BD789
Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Tipo di transistor: NPN
BD789
Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Tipo di transistor: NPN
Set da 1
1.22€ IVA incl.
(1.00€ Iva esclusa)
1.22€
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BD911

BD911

Transistor NPN, 100V, 15A, TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettor...
BD911
Transistor NPN, 100V, 15A, TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 90W
BD911
Transistor NPN, 100V, 15A, TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 90W
Set da 1
1.16€ IVA incl.
(0.95€ Iva esclusa)
1.16€
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BDW42G

BDW42G

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Cor...
BDW42G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW42G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 85W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
BDW42G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW42G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 85W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
2.78€ IVA incl.
(2.28€ Iva esclusa)
2.78€
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BDW83D-PMC

BDW83D-PMC

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: ...
BDW83D-PMC
Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Funzione: hFE 750 (@3V, 6A). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BDW84D. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN
BDW83D-PMC
Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Funzione: hFE 750 (@3V, 6A). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BDW84D. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN
Set da 1
2.72€ IVA incl.
(2.23€ Iva esclusa)
2.72€
Quantità in magazzino : 20
BDW93C

BDW93C

Transistor NPN, TO220, 100V. Alloggiamento: TO220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Tipo: ...
BDW93C
Transistor NPN, TO220, 100V. Alloggiamento: TO220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Tipo: transistor Darlington. Polarità: NPN. Potenza: 80W. VCBO di tensione-base Collector: 100V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 100. Corrente massima 1: 12A. Serie: BDW93
BDW93C
Transistor NPN, TO220, 100V. Alloggiamento: TO220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Tipo: transistor Darlington. Polarità: NPN. Potenza: 80W. VCBO di tensione-base Collector: 100V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 100. Corrente massima 1: 12A. Serie: BDW93
Set da 1
2.17€ IVA incl.
(1.78€ Iva esclusa)
2.17€
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BDW93CF

BDW93CF

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220FP....
BDW93CF
Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor complementare (coppia) BDW94CF. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V
BDW93CF
Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor complementare (coppia) BDW94CF. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V
Set da 1
1.55€ IVA incl.
(1.27€ Iva esclusa)
1.55€
Quantità in magazzino : 72
BDX33C

BDX33C

Transistor NPN, TO220, 100V. Alloggiamento: TO220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Tipo: ...
BDX33C
Transistor NPN, TO220, 100V. Alloggiamento: TO220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Tipo: transistor Darlington. Polarità: NPN. Potenza: 70W. VCBO di tensione-base Collector: 100V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Corrente massima 1: 10A. Serie: BDX33
BDX33C
Transistor NPN, TO220, 100V. Alloggiamento: TO220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Tipo: transistor Darlington. Polarità: NPN. Potenza: 70W. VCBO di tensione-base Collector: 100V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Corrente massima 1: 10A. Serie: BDX33
Set da 1
1.42€ IVA incl.
(1.16€ Iva esclusa)
1.42€
Quantità in magazzino : 80
BDX53C

BDX53C

Transistor NPN, TO220, 100V. Alloggiamento: TO220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Tipo: ...
BDX53C
Transistor NPN, TO220, 100V. Alloggiamento: TO220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Tipo: transistor Darlington. Polarità: NPN. Potenza: 60W. VCBO di tensione-base Collector: 100V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Corrente massima 1: 8A. Serie: BDX53
BDX53C
Transistor NPN, TO220, 100V. Alloggiamento: TO220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Tipo: transistor Darlington. Polarità: NPN. Potenza: 60W. VCBO di tensione-base Collector: 100V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750. Corrente massima 1: 8A. Serie: BDX53
Set da 1
1.66€ IVA incl.
(1.36€ Iva esclusa)
1.66€
Quantità in magazzino : 78
BDY47

BDY47

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 (...
BDY47
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: alimentatore a commutazione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. RoHS: NINCS. Td(spento): 3.5us. Td(acceso): 0.5us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 750V
BDY47
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: alimentatore a commutazione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. RoHS: NINCS. Td(spento): 3.5us. Td(acceso): 0.5us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 750V
Set da 1
2.04€ IVA incl.
(1.67€ Iva esclusa)
2.04€
Quantità in magazzino : 36
BF225

BF225

Transistor NPN. Quantità per scatola: 1. Funzione: TV-IF-reVHF...
BF225
Transistor NPN. Quantità per scatola: 1. Funzione: TV-IF-reVHF
BF225
Transistor NPN. Quantità per scatola: 1. Funzione: TV-IF-reVHF
Set da 1
0.49€ IVA incl.
(0.40€ Iva esclusa)
0.49€
Quantità in magazzino : 412
BF240

BF240

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corr...
BF240
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BF240. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
BF240
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BF240. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
0.74€ IVA incl.
(0.61€ Iva esclusa)
0.74€
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BF259RS

BF259RS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custo...
BF259RS
Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V
BF259RS
Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V
Set da 1
1.53€ IVA incl.
(1.25€ Iva esclusa)
1.53€
Quantità in magazzino : 1724
BF314

BF314

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corr...
BF314
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W
BF314
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W
Set da 1
0.34€ IVA incl.
(0.28€ Iva esclusa)
0.34€
Quantità in magazzino : 151
BF420

BF420

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Cus...
BF420
Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BF421. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V
BF420
Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BF421. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V
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BF457

BF457

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160...
BF457
Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN
BF457
Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN
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Transistor NPN, 0.05A, 400V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 4...
BF487
Transistor NPN, 0.05A, 400V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Spec info: TO-93. Tipo di transistor: NPN
BF487
Transistor NPN, 0.05A, 400V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Spec info: TO-93. Tipo di transistor: NPN
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BF622-DA

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Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento...
BF622-DA
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: DA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 60 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
BF622-DA
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: DA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 60 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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BF763

Transistor NPN, 25mA, 15V. Corrente del collettore: 25mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V....
BF763
Transistor NPN, 25mA, 15V. Corrente del collettore: 25mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF-V M/O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Tipo di transistor: NPN
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Transistor NPN, 25mA, 15V. Corrente del collettore: 25mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF-V M/O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Tipo di transistor: NPN
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Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento:...
BF820
Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 1V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Spec info: serigrafia/codice SMD. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V
BF820
Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 1V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Spec info: serigrafia/codice SMD. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V
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BLX98

Transistor NPN, 2A, 40V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Qua...
BLX98
Transistor NPN, 2A, 40V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 860 MHz. Funzione: UHF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Tipo di transistor: NPN
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Transistor NPN, 2A, 40V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 860 MHz. Funzione: UHF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Tipo di transistor: NPN
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