Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: uso generale. Marcatura sulla cassa: C3198. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 150mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 70. Temperatura: +125°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: sostituzione KTA1267. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Hi-Beta, lo-sat.. Guadagno hFE minimo: 500. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Nota: 9mm. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 250pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1294. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 17A, 230V. Corrente del collettore: 17A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1295

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: NF-E HI-FI. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1301

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: NF-E HI-FI. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1302. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente del collettore: 14A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1303

Transistor NPN, 1.5A, TO-220FP, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 70. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1306

Transistor NPN, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 70. Ic(impulso): 8A. Marcatura sulla cassa: C3303. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Ic(impulso): 8A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 8V. Quantità per scatola: 1. Funzione: NF/SL. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.7A, 180V. Corrente del collettore: 0.7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: applicazioni di commutazione ad alta tensione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Tipo di transistor: NPN. Nota: hFE 140...280. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1319

Transistor NPN, 5A, 500V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Materiale semiconduttore: silicio. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 250 MHz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1360

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Funzione: hFE 15...30. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Funzione: hFE 20...40. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-51 ( MP ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Costo): 1.7pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: C3467. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Altezza 9 mm. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Funzione: Video, Hi-def. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V/100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Costo): 2.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: C3503-D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Amplificatore di tensione audio, definizione CRT, uscita video. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1381. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS