Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Display-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: MONITOR (F). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ), 80V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Driver del motore, driver LED. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Ic(impulso): 10A. Marcatura sulla cassa: C5103. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1952. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.7 MHz. Funzione: MONITOR HA,Hi-res. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: C5129. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: tempo di caduta 0,15...03us (64kHz). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HA, Hi-res. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16E3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, 700V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 3V max. Nota: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Spec info: TO-3P (Plastic). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: TV, SL. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 50. Marcatura sulla cassa: C5171. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1930. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.16V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1B. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Costo): 170pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: C5198 O. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1941. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 200pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: C5200 (Q). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1943. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 12A, 800V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Display-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 43 Ohms. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.1 ns. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Per deflessione orizzontale ad alta risoluzione. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Spec info: Display-HA MONITOR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 35A. Marcatura sulla cassa: C5302. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: velocità elevata (tf=100ns tipico). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1987. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 3V max. Nota: Tipo MESA triplo diffuso . Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corrente del collettore: 14A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Ic(impulso): 28A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Spec info: VCE(sat) max. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PFM, 1500V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Uscita di deflessione orizzontale. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5449. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: Commutazione ad alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 15A, 800V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hi-res, monitor 19. Nota: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: Triple diffusion mesa tipe. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Resistenza BE: sì. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Alta velocità. Guadagno hFE massimo: 11. Guadagno hFE minimo: 3. Ic(impulso): 36A. Marcatura sulla cassa: C5696. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: alta velocità, CTV-HA. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5698. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 7.5A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2039. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.135V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 20A, 800V. Corrente del collettore: 20A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Nota: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5803. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Corrente del collettore: 22A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-21F2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: Per deflessione orizzontale ad alta risoluzione, TV HD. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 44A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V