Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SC5200

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SC5200
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SC5200. Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 200pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: C5200 (Q). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1943. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 02:25.

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MJL21194

MJL21194

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento...
MJL21194
Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO–3PBL. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL21193. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJL21194
Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO–3PBL. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL21193. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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FJL4315-O

FJL4315-O

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corrente del collettore: 17A. Alloggiamento: T...
FJL4315-O
Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corrente del collettore: 17A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: J4315O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) FJL4215-O
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Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corrente del collettore: 17A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: J4315O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) FJL4215-O
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 5. Marcatura sulla cassa: C5242. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1962. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 5. Marcatura sulla cassa: C5242. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1962. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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