Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 3A, 800V. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Funzione: (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Funzione: Transistor di potenza di commutazione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: Serie HFX. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 150V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: S-L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1633. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Corrente del collettore: 0.3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Amplificatore VHF a banda larga. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): FM20 (TO220F). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Transistor NPN ad alta tensione per applicazioni audio e generiche.. Guadagno hFE minimo: 60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1668. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, 120V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1671. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 15A, 160V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1673. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: SMPS. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1695. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): FM20 (TO220F). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso NPN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, saldatura PCB, D35/B, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: SC-71. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-71. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 14pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 2.5A. Marcatura sulla cassa: 12.9k Ohms. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1770. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10mA, 1500V. Corrente del collettore: 10mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: messa a fuoco dinamica, commutazione ad alta tensione. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Spec info: TO-220FI (Forming). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10mA, 1800V. Corrente del collettore: 10mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: messa a fuoco dinamica. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Spec info: TO-220FI. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 2000V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Funzione: Io-sab. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Nota: serigrafia/codice SMD DK. Marcatura sulla cassa: DK. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1797. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 50mA, 1200V. Corrente del collettore: 50mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5.5 MHz. Funzione: Applicazioni TV Dynamic Focus. Nota: applicazioni di commutazione ad alta tensione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 80V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI NF-E. Nota: (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1803. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 1500V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Compatibilità: CVM4967A. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Display-HA, Hi-res. Guadagno hFE massimo: 25. Ic(impulso): 16A. Equivalenti: SAMSUNG 891 464744AA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: MONITOR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla Diffusa . Tf(massimo): 0.4us. Tipo di transistor: NPN. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Display-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1837. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, TO-220F, 230V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, 800V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 220pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: MONITOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PFM, 1500V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: MONITOR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN