Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Costo): 1.8pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Ic(impulso): 800mA. Marcatura sulla cassa: C2705. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Nota: 9mm. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1145. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 200. Marcatura sulla cassa: DG. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 300mV. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD DG. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1163. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-103, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-103. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-236, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-236. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Corrente del collettore: 300mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Per il silenziamento e la commutazione. Guadagno hFE massimo: 1200. Guadagno hFE minimo: 200. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 130 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.042V. Vebo: 25V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 70mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 70mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V/160V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 70mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC2910. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V/160V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 400. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 70mA. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 140mA. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1208

Transistor NPN, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 0.14A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 0.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1209. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 150mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, D18/C, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V/100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Commutazione ad alta corrente. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 70. Marcatura sulla cassa: C3074. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 2. Nota: per cambiare applicazione. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V

Transistor NPN, saldatura PCB, D8A/C, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8A/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/19V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, saldatura PCB, D6/C, 150mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D6/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 150mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 1.5A, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: TV-NF/E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1249

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC3157. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1265

Transistor NPN, 0.02A, 40V. Corrente del collettore: 0.02A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 550 MHz. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 660 MHz. Funzione: TV-ZF. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1