Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: C1815Y. Numero di terminali: 3. Temperatura: +120°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1015Y. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 1200. Guadagno hFE minimo: 200. Marcatura sulla cassa: C1841. Numero di terminali: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.07V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: Amplificatore audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 580. Guadagno hFE minimo: 150. Marcatura sulla cassa: C1845. Equivalenti: KSC1845. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.07V. Vebo: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-126B-A1, 35V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126B-A1. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 340. Guadagno hFE minimo: 85. Ic(impulso): 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 3.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 3.5A. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SC1875. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 500V. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: C1881. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 30W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Uscita video. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla Diffusa . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 250V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, 200V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 35V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 470 MHz. Funzione: UHF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 0.6A, TO-220, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Funzione: VHF-Tr/E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 300mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 300mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 0.1A, 35V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 550 MHz. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 300V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: S-L. Guadagno hFE minimo: 30. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 1us. Tf(min): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/25V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, D18/C, 700mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/32V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, saldatura PCB, E-33, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: E-33. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/25V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 75V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 27 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W