Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 200. Nota: serigrafia/codice SMD DG. Marcatura sulla cassa: DG. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1163. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 300mV

Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-103, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-103. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-236, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-236. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Corrente del collettore: 300mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Per il silenziamento e la commutazione. Guadagno hFE massimo: 1200. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400mW. RoHS: sì. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 130 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.042V. Vebo: 25V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 70mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 70mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 180V/160V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 0.14A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 180V. Corrente del collettore: 0.14A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1209. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Commutazione ad alta corrente. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 70. Nota: per cambiare applicazione. Nota: transistor complementare (coppia) 2SA1244. Marcatura sulla cassa: C3074. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, D6/C, 150mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D6/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1265. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.02A, 40V. Corrente del collettore: 0.02A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 550 MHz. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: uso generale. Marcatura sulla cassa: C3198. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, TO-92, 150mA, TO-92, 50V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 150mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 70. Numero di terminali: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Spec info: sostituzione KTA1267. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Hi-Beta, lo-sat.. Guadagno hFE minimo: 500. Nota: 9mm. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1294. Tipo di transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Costo): 250pF. Diodo CE: NINCS. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 17A, 230V. Corrente del collettore: 17A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1295. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: NF-E HI-FI. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1302. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente del collettore: 14A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1303. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: hFE 15...30. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Applicazioni dei regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-51 ( MP ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.7pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Video, Hi-def. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 0.2A. Nota: Altezza 9 mm. Marcatura sulla cassa: C3467. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.6pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Amplificatore di tensione audio, definizione CRT, uscita video. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: C3503-D. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1381. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V