Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, TO-92, 150mA, TO-92, 50V - 2SC3199

Transistor NPN, TO-92, 150mA, TO-92, 50V - 2SC3199
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Transistor NPN, TO-92, 150mA, TO-92, 50V - 2SC3199. Transistor NPN, TO-92, 150mA, TO-92, 50V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 150mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: NINCS. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 70. Numero di terminali: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Spec info: sostituzione KTA1267. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.

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2SC2240GR

2SC2240GR

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custo...
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Marcatura sulla cassa: C224GR. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA970GR. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
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