Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. C(in): 8pF. Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Costruzione di stampi planari epitassiali . Tf(massimo): 75 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB

Transistor NPN, TO-92, 200mA, 40V, 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Tensione collettore-emettitore VCEO: 40V. Corrente del collettore: 0.2A. Marcatura del produttore: 2N3904. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Potenza: 0.625W. Frequenza massima: 300MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. C(in): 30pF. Costo): 6.5pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 0.9A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. C(in): 10pF. Costo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 900. Guadagno hFE minimo: 300. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 35V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Funzione: Preamplificatore HI-FI a basso rumore. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Corrente del collettore: 0.4A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.2GHz. Guadagno hFE massimo: 210. Guadagno hFE minimo: 70. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 4pF. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 4.5V. Funzione: Preamplificatore HI-FI a basso rumore. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.6A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 80. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 600mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 5551. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 50A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N5884. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N5886G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 12A, 100V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE minimo: 750. Nota: b>750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, M135, 36V. Corrente del collettore: 5A. Custodia (secondo scheda tecnica): M135. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 36V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Funzione: VHF-O Tr. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: SD1012. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Costo): 400pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: hFE 750...180000. Guadagno hFE massimo: 18000. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Peso: 11.8g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6287. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Funzione: Amplificatori e applicazioni di commutazione. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6491. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 90V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6491

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 15mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 15mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N6488G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.075W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 20. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor al silicio epitassiale NPN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6520. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.6A, 50V. Corrente del collettore: 0.6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-202, 3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-202. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V/45V. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, 0.1A, 210V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 210V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7.9W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: 8-726-720-00

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 700mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 300mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V/40V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 300mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V/60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, saldatura PCB, D35/B, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.5A, 50V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Nota: hFE 100..200. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA673A