Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Funzione: Amplificatori e applicazioni di commutazione. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6491. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 90V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6491. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.6A, 50V. Corrente del collettore: 0.6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-202, 3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-202. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V/45V. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, 0.1A, 210V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 210V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7.9W. Spec info: 8-726-720-00. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 700mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 300mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V/40V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 300mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V/60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 0.5A, 50V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Nota: hFE 100..200. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA673A. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.05A, 50V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: TV-IF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: Altezza 9 mm. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, 500V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, 400V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/40V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92S ( SPT SC-72 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: C1710. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 7V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220C, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220C. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Dissipazione massima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 15mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 15mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V/20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: C1815Y. Numero di terminali: 3. Temperatura: +120°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1015Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 1200. Guadagno hFE minimo: 200. Marcatura sulla cassa: C1841. Numero di terminali: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.07V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: Amplificatore audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 580. Guadagno hFE minimo: 150. Marcatura sulla cassa: C1845. Equivalenti: KSC1845. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Spec info: Samsung--0501-000354. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.07V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 20mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: C1881. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 30W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C