Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V - 2SC1740

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V - 2SC1740
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Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V - 2SC1740. Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92S ( SPT SC-72 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: C1710. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore ROHM. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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2SC1815

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Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Cust...
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Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: C1815Y. Numero di terminali: 3. Temperatura: +120°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1015Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: C1815Y. Numero di terminali: 3. Temperatura: +120°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1015Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V
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