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Transistor NPN, 0.1A, 210V - 2SC1127-2

Transistor NPN, 0.1A, 210V - 2SC1127-2
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Transistor NPN, 0.1A, 210V - 2SC1127-2. Transistor NPN, 0.1A, 210V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 210V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7.9W. Spec info: 8-726-720-00. Tipo di transistor: NPN. Prodotto originale del produttore Sony. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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Transistor NPN, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Funzione: VID-L. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 300mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Funzione: VID-L. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 300mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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