Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD679A

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD679A
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD679A. Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD680A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.8V. Prodotto originale del produttore Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 23:25.

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BD681

BD681

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiament...
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 750. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD682. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 750. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD682. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggi...
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