Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.7A, 140V. Corrente del collettore: 0.7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Corrente del collettore: 200mA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: Uscita cromatica TV a colori (VID-L). Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Marcatura sulla cassa: C1507 O. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Uscita di deflessione verticale TV. Guadagno hFE massimo: 125. Guadagno hFE minimo: 60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA940. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, 30 v. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Resistenza B: 10. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 10. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Corrente del collettore: 0.7A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 60pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: hFE 120...240. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 60pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 10A. Marcatura sulla cassa: KSC5027 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 60pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 10. Diodo CE: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: High Switching 0.1us. Guadagno hFE massimo: 22. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5386. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: VEBO 6V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 4.2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Spec info: Monitor 68KHz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 150mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Piedinatura: 1. C(in): 1.5pF. Costo): 11pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA733. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 150mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Piedinatura: 1. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA733. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 150. Marcatura sulla cassa: D2012-G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) KSB1366. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Modalità interruttore ad alta tensione . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 8:1. Ic(impulso): 24A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: Commutazione ad alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 600mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Marcatura sulla cassa: R1002. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 22k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 22k Ohms. Costo): 100pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: SW. Marcatura sulla cassa: R1003. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Marcatura sulla cassa: R1007. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, TO-92, TO-92. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Diodo BE: NINCS. Costo): 0.8pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistore ad alta tensione per CRT a definizione standard. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218-FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 4.5. Ic(impulso): 18A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 18. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 58W. RoHS: sì. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente del collettore: 14A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Ic(impulso): 21A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Corrente del collettore: 50A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO–204AE ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente del collettore: 50A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Guadagno hFE massimo: 18000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11033. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V, 20A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Corrente del collettore: 20A. RoHS: sì. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15004. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: transistor di potenza. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 25