Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Funzione: NF/L. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1695

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Funzione: NF/L. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1695

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): FM20 (TO220F). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso NPN. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 550V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 6 MHz. Funzione: Transistor di commutazione ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, saldatura PCB, D35/B, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: SC-71. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-71. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Costo): 14pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 2.5A. Marcatura sulla cassa: 12.9k Ohms. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1770. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10mA, 1500V. Corrente del collettore: 10mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Funzione: messa a fuoco dinamica, commutazione ad alta tensione. Spec info: TO-220FI (Forming)

Transistor NPN, 10mA, 1800V. Corrente del collettore: 10mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 2000V. Funzione: messa a fuoco dinamica. Spec info: TO-220FI

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Funzione: Io-sab. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Nota: serigrafia/codice SMD DK. Marcatura sulla cassa: DK. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1797. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50mA, 1200V. Corrente del collettore: 50mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5.5 MHz. Funzione: Applicazioni TV Dynamic Focus. Nota: applicazioni di commutazione ad alta tensione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: TO-220F

Transistor NPN, 5A, 80V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI NF-E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Tipo di transistor: NPN. Nota: (F). Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1803

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 1500V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 1500V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Compatibilità: CVM4967A. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Display-HA, Hi-res. Guadagno hFE massimo: 25. Ic(impulso): 16A. Equivalenti: SAMSUNG 891 464744AA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla Diffusa . Tf(massimo): 0.4us. Tipo di transistor: NPN. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Display-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, 600V. Corrente del collettore: 7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Monitor VGA

Transistor NPN, 7A, TO-3FP, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 7A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), TO3PML, 800V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 3. Ic(impulso): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf (tipo): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1837. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, TO-220F, 230V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF-L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, 800V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 220pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 8A, TO-3PFM, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 7A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Display-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR (F). Diodo CE: sì

Transistor NPN, 7A, 800V. Corrente del collettore: 7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Display-HA. Nota: MONITOR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V