Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O
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5 - 9 2.11€ 2.57€
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O. Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Costo): 60pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 10A. Marcatura sulla cassa: KSC5027 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 03:25.

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BUL216

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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
BUL216
Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione rapida ad alta tensione, per alimentatori switching. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 9V
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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione rapida ad alta tensione, per alimentatori switching. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 9V
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