Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O
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1 - 4 2.22€ 2.71€
5 - 9 2.11€ 2.57€
10 - 24 2.00€ 2.44€
25 - 49 1.89€ 2.31€
50 - 99 1.84€ 2.24€
100 - 201 1.80€ 2.20€
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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V - KSC5027-O. Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 60pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 10A. Marcatura sulla cassa: KSC5027 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 12:25.

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BUL216

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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Funzione: commutazione rapida ad alta tensione, per alimentatori switching. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BUL216
Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Funzione: commutazione rapida ad alta tensione, per alimentatori switching. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Ritaglio/foratura del pannello: 19.2x13mm. Connettori: terminali faston 2 pezzi 4,8x0,8mm. Nota: 2 p...
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IT(RSM) (TC=85°C): 16A. È M: 160A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-22...
BTB16-800CW
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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 75V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodi...
2SC2166
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Corrente di uscita: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Corren...
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CCAP100NF275V

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Tensione CC: 560V. Capacità: 100nF. Tensione CA: 275V. Tipo: MKP X2. Materiale del condensatore: fi...
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Transistor NPN, 20A, 800V. Corrente del collettore: 20A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V....
2SC5793
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2SK3562

2SK3562

Transistor a canale N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (...
2SK3562
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