Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VCE(sat) 3V max. Nota: Tipo MESA triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)

Transistor NPN, 14A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 14A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Ic(impulso): 28A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: VCE(sat) max. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 14A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 14A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 190pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: HA, Hi-res. Ic(impulso): 28A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: fH--64KHz. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-3PFM, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused

Transistor NPN, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Uscita di deflessione orizzontale. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5449. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 70mA, SSFP 1.4x0.8x0.6mm, 10V. Corrente del collettore: 70mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7GHz. Funzione: VHF/UHF. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 90. Marcatura sulla cassa: LN. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 20V. Spec info: serigrafia/codice SMD LN

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1500V. Corrente del collettore: 17A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 12:1. Guadagno hFE minimo: 6. Ic(impulso): 30A. Marcatura sulla cassa: C5583. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Funzione: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: Tipo mesa a tripla diffusione

Transistor NPN, 15A, 800V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hi-res, monitor 19. Nota: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Spec info: Triple diffusion mesa tipe

Transistor NPN, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Alta velocità. Guadagno hFE massimo: 11. Guadagno hFE minimo: 3. Ic(impulso): 36A. Marcatura sulla cassa: C5696. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Resistenza BE: sì. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 8A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: C5698. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Funzione: alta velocità, CTV-HA

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-251, 7.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-251. Corrente collettore Ic [A], max.: 7.5A. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 400 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 7.5A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.135V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2039

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 100dB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 330 MHz. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 11A. Marcatura sulla cassa: C5707. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.11V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2040. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 330 MHz. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 11A. Marcatura sulla cassa: C5707T. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor epitassiale planare al silicio . Tf(massimo): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.11V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2040FA

Transistor NPN, 21A, 700V. Corrente del collettore: 21A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Nota: Vce(sat) 3Vmax

Transistor NPN, 20A, 800V. Corrente del collettore: 20A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Nota: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Spec info: "Transistor al silicio planare triplo diffuso"

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5803. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Corrente del collettore: 22A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-21F2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: Per deflessione orizzontale ad alta risoluzione, TV HD. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 44A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Corrente del collettore: 23A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-21F2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: Per deflessione orizzontale ad alta risoluzione, TV HD. Guadagno hFE massimo: 55. Guadagno hFE minimo: 4.5. Ic(impulso): 46A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 210W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo MESA triplo diffuso . Tf(massimo): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 20A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 20A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Guadagno hFE massimo: 15. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220F-3SG, 50V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-3SG. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 85pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 195 MHz. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: C6082. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 23W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Funzione: Driver relè, driver lampada, driver motore. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA2210. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V/30V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.03A, 15V. Corrente del collettore: 0.03A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 600 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.12W. Tipo di transistor: NPN