Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Realizzato per Grundig. Pd (dissipazione di potenza, massima): 34W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 600mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P2N2222A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, SOT23, 4.87k Ohms. Alloggiamento: SOT23. Tensione collettore-emettitore VCEO: 4.87k Ohms. Tipo: transistor per applicazioni a basso consumo. Polarità: NPN. Potenza: 0.36W. VCBO di tensione-base Collector: 4.87k Ohms. Tipo di montaggio: SMD. Larghezza di banda MHz: 50MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 25. Corrente massima 1: 0.5A. Serie: SMBTA

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 8A. Marcatura sulla cassa: 13005A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 16. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 13007A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V

Transistor NPN. Diodo BE: NINCS. Costo): 122pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 215pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Transistor di potenza NPN a commutazione rapida a bassa tensione. Guadagno hFE massimo: 350. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.32V. Vebo: 7V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP142. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX550. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX551. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Corrente del collettore: 300mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX790. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN