Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V - ZTX450
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.97€ | 1.18€ |
| 5 - 9 | 0.92€ | 1.12€ |
| 10 - 24 | 0.89€ | 1.09€ |
| 25 - 49 | 0.87€ | 1.06€ |
| 50 - 99 | 0.85€ | 1.04€ |
| 100 - 186 | 0.78€ | 0.95€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.97€ | 1.18€ |
| 5 - 9 | 0.92€ | 1.12€ |
| 10 - 24 | 0.89€ | 1.09€ |
| 25 - 49 | 0.87€ | 1.06€ |
| 50 - 99 | 0.85€ | 1.04€ |
| 100 - 186 | 0.78€ | 0.95€ |
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V - ZTX450. Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX550. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Diodes Inc.. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 05:25.
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BC337-25
Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custod...
Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
BC639-16
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (...
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Spec info: transistor complementare (coppia) BC640-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Pd (dissipazione di potenza, massima): 800mW. Spec info: transistor complementare (coppia) BC640-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V
BC639
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: T...
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC639. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) BC640. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC639. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) BC640. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V
BC33725
Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custod...
Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
ZTX451
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (...
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX551. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX551. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V
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