Transistor NPN BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Corrente del collettore: 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 50pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Corrente collettore Ic [A]: 1A. Costo): 7pF. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. FT: 130 MHz. Famiglia di componenti: transistor NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Frequenza: 200MHz. Guadagnare hfe: 40...250. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 40. Marcatura del produttore: BC639. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Polarità: bipolari. Potenza: 0.8/2.75W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC640. Temperatura massima: +150°C.. Tensione (collettore - emettitore): 80V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Prodotto originale del produttore: Lge Technology. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:34