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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - KSR1002

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - KSR1002
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - KSR1002. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Marcatura sulla cassa: R1002. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 04:25.

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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 300mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 300mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117
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Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Tipo di transistor: NPN. Spec info: TO-92M
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 250 MHz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1
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