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Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2525DX

Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2525DX
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Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU2525DX. Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P(H)IS. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 145pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.35us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 21:25.

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BU2527DX

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia...
BU2527DX
Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-399. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT-HA hi-re (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantità per scatola: 1
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Transistor NPN, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodi...
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Transistor NPN, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Alta velocità. Guadagno hFE massimo: 11. Guadagno hFE minimo: 3. Ic(impulso): 36A. Marcatura sulla cassa: C5696. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Resistenza BE: sì. Diodo CE: sì
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Transistor NPN, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Alta velocità. Guadagno hFE massimo: 11. Guadagno hFE minimo: 3. Ic(impulso): 36A. Marcatura sulla cassa: C5696. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Resistenza BE: sì. Diodo CE: sì
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