Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V - BU2525DF

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V - BU2525DF
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Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V - BU2525DF. Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 21:25.

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Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P(H)IS. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 145pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.35us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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Transistor NPN, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 12A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P(H)IS. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 145pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA Hi-re. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.35us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.1V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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