Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 2A, 100V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Nota: >1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Commutazione ad alta corrente. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 35. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1202. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 35. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: "Transistor al silicio planari epitassiali". Tf(massimo): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1204

Transistor NPN, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220ML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Guadagno hFE massimo: 5000. Guadagno hFE minimo: 2000. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.9V. Spec info: "Transistor Darlington epitassiale planare in silicio"

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Amplificatore di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori.. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1274

Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Guadagno hFE minimo: 3000. Nota: =3000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1342

Transistor NPN, saldatura PCB, M31/C, 6A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M31/C. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1500V/650V. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 1500V. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 650V

Transistor NPN, 10A, 650V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Funzione: S-L TV/HA(F)

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Io-sat DC/DC. Guadagno hFE massimo: 350. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Corrente del collettore: 2.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Marcatura sulla cassa: D2012. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220FP, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V/60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 30W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): 30W. Range di temperatura di funzionamento max (°C): montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Corrente del collettore: 3.5A. Alloggiamento: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CTV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 3A, 100V. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Io-sab. Nota: >500. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 600V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 110V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Ottimale per uscita Hi-Fi da 120 W. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 3500. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla diffusione planare tipo darlington . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Corrente del collettore: 0.3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 3A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3FP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: IBp=2A

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50MHz. Funzione: Amplificazione di potenza con elevata corrente diretta. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: 2.37k Ohms. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P ( MT-100 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: hFE 5000. Guadagno hFE minimo: 5000. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1560. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Funzione: S Io-sat. Nota: serigrafia/codice SMD DT. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1561

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 6A. Marcatura sulla cassa: D2394. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V