Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Spec info: BC237/25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC237BG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC337-25. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC337-25. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 210 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC337-25. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 800mA, TO-92, 45V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC337-40. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-40. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC337-40. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 210 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo-Pack. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 250. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-40. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 63. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 375. Guadagno hFE minimo: 85. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC369. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 160000. Guadagno hFE minimo: 8000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: VEBO 12V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: uso generale. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 10V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 1.2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor Darlington NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC517. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC517. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corrente del collettore: 1.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200MHz. Guadagno hFE minimo: 30000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC516. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 90. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 450. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 0.2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC556B. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC546B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 90. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC557A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V