Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Costo): 4.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 80pF. Costo): 25pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: per applicazioni di media potenza e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC161-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 240. Nota: ( E,C,B ). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Spec info: BC237/25

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC237BG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 120V, 0.5A, TO-39. Tensione collettore-emettitore VCEO: 120V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-39. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Potenza: 0.85W. Frequenza massima: 120MHz

Transistor NPN, 60V, 0.5A, TO-39. Tensione collettore-emettitore VCEO: 60V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-39. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Potenza: 0.85W. Frequenza massima: 120MHz

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 210 MHz. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC337-25. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC337-25. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 210 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Tensione collettore-emettitore VCEO: 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Potenza: 0.63W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC337-25. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 800mA, TO-92, 45V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC337-40. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-40

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC337-40. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 210 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Tensione collettore-emettitore VCEO: 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Potenza: 0.63W

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-25. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92Ammo-Pack. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 250. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC327-40. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Tensione collettore-emettitore VCEO: 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Potenza: 0.63W. Frequenza massima: 100MHz

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Costo): 40pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 63. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 375. Guadagno hFE minimo: 85. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BC369