Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 1.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD139-10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 80V, 1A, TO-126 FULLPACK. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-126 FULLPACK. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 10W

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 80V, 1.5A, TO-126. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 12.5W

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO126, 375V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 0.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 375V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 3mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 3mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD179G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.03W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 1.5A, 100V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Corrente del collettore: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD237. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238

Transistor NPN, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD237G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 30W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD240C

Transistor NPN, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 3A. Corrente del collettore: 5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 40W. Frequenza massima: 3MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD242C

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD242C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, 100V, 6A, TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD243C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Transistor di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 6A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD243C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Transistor di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD244C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 65W. Frequenza massima: 3MHz. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) BD246C

Transistor NPN, 10A, 115V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) BD246C

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 40A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD250C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Spec info: transistor complementare (coppia) BD250C