Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: DA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 60 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 25mA, 15V. Corrente del collettore: 25mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF-V M/O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 1V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-202, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-202. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W

Transistor NPN, 50mA, 275V. Corrente del collettore: 50mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 275V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90MHz. Id(imp): 300mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 700 MHz. Funzione: VHF TV-IF. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 35. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Corrente del collettore: 150mA. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7GHz. Funzione: Transistor a banda larga VHF/UHF-A 7GHz. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 80. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 25V. Vebo: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Corrente del collettore: 200mA. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Costo): 0.7pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7GHz. Funzione: Per amplificatori d antenna VHF/UHF e applicazioni di comunicazione RF. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 3V. Numero di terminali: 4. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143B. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. C(in): 1.3pF. Costo): 0.7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8GHz. Funzione: UHF wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: V3%. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW (total 380mW). RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Numero di terminali: 4. Spec info: serigrafia/codice CMS V3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143B. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. C(in): 1.3pF. Costo): 0.7pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8GHz. Funzione: UHF wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: %MW. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW (total 380mW). RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Numero di terminali: 4. Spec info: serigrafia/codice SMD MW. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 0.1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: VID-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Corrente del collettore: 80mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. C(in): 0.9pF. Costo): 0.28pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8GHz. Funzione: UHF wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Marcatura sulla cassa: RC. Pd (dissipazione di potenza, massima): 580mW (total 380mW). RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Numero di terminali: 4. Spec info: serigrafia/codice SMD RC. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.3A, 100V. Corrente del collettore: 0.3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Alta risoluzione . Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BFQ252. Nota: Tc.=115°C

Transistor NPN, 0.15A, 25V. Corrente del collettore: 0.15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF-A. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 1.25A, 36V. Corrente del collettore: 1.25A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 36V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 210mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 210mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: R7s. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Corrente del collettore: 0.045A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. C(in): 0.64pF. Costo): 0.23pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5GHz. Funzione: Transistor a banda larga da 5 GHz (UHF-A). Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.28W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2.5V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. C(in): 1.2pF. Costo): 0.6pF. Condizionamento: rotolo. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5GHz. Funzione: Transistor a banda larga da 5 GHz (UHF-A). Guadagno hFE massimo: 135. Guadagno hFE minimo: 65. Marcatura sulla cassa: P2p. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD P2P. Unità di condizionamento: 3000. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: P2. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 45mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 45mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: GFs. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.28W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corrente del collettore: 35mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. Condizionamento: rotolo. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 6GHz. Funzione: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 40. Marcatura sulla cassa: R2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 3000. Spec info: SMD R2. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-37 ( TO-50 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-37 ( TO-50 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5GHz. Funzione: Amplificatore RF fino alla gamma GHz per amplificatore d antenna.. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 25. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 700W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor RF planare . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.8GHz. Funzione: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 50mA. Marcatura sulla cassa: E2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 450 MHz. Funzione: Circuito IF e VHF a film spesso e sottile . Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 25mA. Marcatura sulla cassa: G1*. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD G1p, G1t, G1W