Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 210mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 210mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta frequenza. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: R7s. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Corrente del collettore: 0.045A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. C(in): 0.64pF. Costo): 0.23pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5GHz. Funzione: Transistor a banda larga da 5 GHz (UHF-A). Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.28W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Diodo BE: NINCS. C(in): 1.2pF. Costo): 0.6pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5GHz. Funzione: Transistor a banda larga da 5 GHz (UHF-A). Guadagno hFE massimo: 135. Guadagno hFE minimo: 65. Nota: serigrafia/codice SMD P2P. Marcatura sulla cassa: P2p. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 45mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 45mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta frequenza. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: GFs. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.28W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corrente del collettore: 35mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 12V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 6GHz. Funzione: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 40. Marcatura sulla cassa: R2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Spec info: SMD R2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2V

Transistor NPN, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-37 ( TO-50 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-37 ( TO-50 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5GHz. Funzione: Amplificatore RF fino alla gamma GHz per amplificatore d antenna.. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 25. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 700W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor RF planare . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.8GHz. Funzione: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 50mA. Marcatura sulla cassa: E2. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 450 MHz. Funzione: Circuito IF e VHF a film spesso e sottile . Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 25mA. Nota: serigrafia/codice SMD G1p, G1t, G1W. Marcatura sulla cassa: G1*. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v

Transistor NPN, 0.2A, 30 v. Corrente del collettore: 0.2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF-A. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta frequenza. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BFU590G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 24V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 8.5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. Spec info: transistor complementare (coppia) BFV421. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-72. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-72. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 10V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1.6GHz. Funzione: VHF-UHF-A. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Alloggiamento: TO-50. Corrente del collettore: 0.025A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-50-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Resistenza B: NINCS. Diodo BE: transistor NPN ad alta frequenza. Resistenza BE: saldatura PCB (SMD). C(in): TO-50. Diodo CE: componente a montaggio superficiale (SMD). Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3.2GHz. Funzione: Amplificatore RF a banda larga fino alla gamma GHz.. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Spec info: Transistor RF planare . Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V

Transistor NPN, 1A, 100V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF/S. Nota: b>70. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), 50V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: NF/HF/S. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: NF/HF/S. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1.25A, 50V. Corrente del collettore: 1.25A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 860 MHz. Funzione: UHF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.07W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 36V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 36V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 470 MHz. Funzione: UHF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7.8W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, 40V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 860 MHz. Funzione: UHF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Interruttore di alimentazione intelligente sul lato alto". Equivalenti: ISP452. RoHS: sì. Spec info: miniPROFET. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-261AA. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AS3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 8pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Marcatura sulla cassa: U8. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Spec info: serigrafia/codice CMS U8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 60 ns. Tr: 25 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: U8. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: U8. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. C(in): 90pF. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Driver a media potenza, solenoidi, relè e attuatori e moduli CC/CC. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: AR4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: serigrafia/codice SMD AR4. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 1000 ns. Tr: 250 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V