Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 0.8A. Marcatura sulla cassa: p2X, t2X, W2X. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Spec info: serigrafia/codice SMD P2X, T2X, W2X, transistor complementare (coppia) PMBT4401. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.75V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V. Diodo BE: NINCS. Costo): 19pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Amplificatore per usi generali. Spec info: hFE 80...450. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Amplificatore per usi generali. Spec info: hFE 240...600. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 75pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: Amplificatore per usi generali. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 35. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-363, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-363. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: coppia di transistor NPN e PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: D*2. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 100pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: DTR.. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Spec info: serigrafia/codice CMS XJ. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, saldatura PCB, ITO-218, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-218. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: S2000N. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 1.5 kV. Frequenza di taglio ft [MHz]: 2 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 160V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L, HI-FI Audio. Nota: hFE 5000...20000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: transistor complementare (coppia) SAP15P. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 160V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L, HI-FI Audio. Nota: hFE 5000...20000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: transistor complementare (coppia) SAP15P. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 400V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. C(in): 11pF. Costo): 1.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: amplificatore ad alta tensione, versione SMD di MPSA42. Guadagno hFE minimo: 25. Nota: transistor complementare (coppia) SMBTA92. Marcatura sulla cassa: s1D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD S1D. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (Ammo-Pack). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: S8050 C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Diodo BE: NINCS. Costo): 28pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Operazione push-pull di classe B. Guadagno hFE massimo: 135. Guadagno hFE minimo: 96. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: eccellente linearità hFE. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.16V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 270 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.45W. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 8A. Marcatura sulla cassa: 13005A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 16. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: 13007A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 50. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 15...28. Marcatura sulla cassa: ST13009L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Spec info: ST13009L. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN. Diodo BE: NINCS. Costo): 122pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistor di potenza a commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: N83003. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) STN93003. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 215pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Transistor di potenza NPN a commutazione rapida a bassa tensione. Guadagno hFE massimo: 350. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.32V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HIGH SWITCH. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Spec info: Alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: ISOWATT218. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione, amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) Diodo TIP107. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 2A, 60V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Ic(impulso): 4A. Nota: >1000. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V