Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1D. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 5mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 3EM. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 650 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Costo): 9pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 350. Guadagno hFE minimo: 200. Marcatura sulla cassa: Y1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A8A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A8E. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A8K. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.246W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: coppia di transistor complementari. Guadagno hFE minimo: 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP & NPN. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSA42. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Resistenza BE: 10. Costo): 300pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100MHz. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSA06. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 0.5A, 30 v. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 10000. Guadagno hFE minimo: 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Tecnologia: transistor Darlington. Tf(min): 125 MHz. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 10000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 45V, 0.2A, TO-92. Tensione collettore-emettitore VCEO: 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Frequenza massima: 100 MHz

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Equivalenti: KSP42. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA92. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Corrente del collettore: 0.3A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 7pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 40. Equivalenti: KSP44, CMPSA44. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 400mV. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 750mV. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 5mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Corrente collettore Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSH10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 650 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Funzione: hFE 25...40. Quantità per scatola: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Costo): 6pF. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 150000. Guadagno hFE minimo: 25000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 12V. Funzione: High hFE. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 28V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 28V. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: transistor con rete di resistori di polarizzazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: 8B. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 338mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor digitali (BRT). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Numero di terminali: 3. Nota: Panasonic NV-SD450. Nota: B1GBCFLL0035. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 8B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN. C(in): 9pF. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. C(in): 9pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Data di produzione: 201452 201512. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW1302. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, 60V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementare (coppia) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN. Costo): 135pF. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Realizzato per Grundig. Pd (dissipazione di potenza, massima): 34W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS