Transistor NPN, 0.5A, 200V - 2SC1962
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.91€ | 2.33€ |
| 5 - 5 | 1.82€ | 2.22€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.91€ | 2.33€ |
| 5 - 5 | 1.82€ | 2.22€ |
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Transistor NPN, 0.5A, 200V - 2SC1962. Transistor NPN, 0.5A, 200V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.
Prodotti equivalenti :
BF460
Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250...
Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1
Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1
MJE340
Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: ...
Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-32. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE340. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350
Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-32. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE340. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350
MJE340-ST
Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126F. ...
Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Nota: custodia in plastica. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Nota: custodia in plastica. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BF461
Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300...
Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1
Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: VID-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1
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