Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V - 2SC2275

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V - 2SC2275
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V - 2SC2275. Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 35. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Nec. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 05:25.

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2SC2344

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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100MHz. Funzione: Commutazione ad alta tensione, amplificatore di potenza AF. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1011. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100MHz. Funzione: Commutazione ad alta tensione, amplificatore di potenza AF. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1011. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA968. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA968. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN
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