Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V - 2SC2682

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V - 2SC2682
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Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V - 2SC2682. Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Funzione: hFE 100...200. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.

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BF459
Transistor NPN, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 5.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Funzione: VID-L. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 300mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1.5A, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: TV-NF/E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1249
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Transistor NPN, 1.5A, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: TV-NF/E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1249
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