Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF540N. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1960pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRF540NSPBF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F540NS. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1960pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F540NS. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1960pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 130W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF540PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 28A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 53 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1770pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 92W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 21 milliOhms. Funzione: Resistenza ultra bassa, <0,021 Ohm. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: VGS @10V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 3.3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 1.16 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF610PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 11 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 140pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Custodia (standard JEDEC): 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 260pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF620PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 19 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 260pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 860pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 160 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 53 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): 50. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF630. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 540pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 72W. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: N-Channel MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF630N. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 27 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 575pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 74W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF630PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 74W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 770pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 220 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 4.2 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (massimo): 8.1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 0.348 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 250V. Quantità per scatola: 1

C(in): 1300pF. Costo): 430pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 4 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

C(in): 1160pF. Costo): 185pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 167 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF640NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1160pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Custodia (standard JEDEC): 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F640NS. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1160pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 18A. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 200V

C(in): 1300pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 53 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (massimo): 5.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. Tecnologia: DirectFET POWER MOSFET. Voltaggio Vds(max): 100V. Quantità per scatola: 1. Nota: isometrico