IRF6215SPBF

IRF6215SPBF. C(in): 860pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 160 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 53 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 05:25.