IRF630NPBF

IRF630NPBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF630N. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 27 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 575pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 74W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 23:25.