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IRF634

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IRF634. C(in): 770pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 220 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 4.2 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 00:25.

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C(in): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET di potenza a commutazione rapida. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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