Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.20€ |
5 - 9 | 0.94€ | 1.15€ |
10 - 24 | 0.89€ | 1.09€ |
25 - 28 | 0.84€ | 1.02€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.20€ |
5 - 9 | 0.94€ | 1.15€ |
10 - 24 | 0.89€ | 1.09€ |
25 - 28 | 0.84€ | 1.02€ |
Transistor a canale N, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - IRF634. Transistor a canale N, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 250V. C(in): 770pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 220 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 4.2 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 03:25.
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