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IRF610B

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IRF610B. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: VGS @10V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 3.3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 1.16 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 00:25.

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C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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