Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 60V. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 200V. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C

Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 250V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 0.6A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Ifsm--4A/1uS. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: Diodo di commutazione per piccoli segnali

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafia/codice SMD A1s. RM (max): 50uA. RM (min): 0.15uA. Marcatura sulla cassa: A1s. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: SOT-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: sì. Do: 2pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafia/codice SMD A1. RM (max): 50uA. RM (min): 0.15uA. Marcatura sulla cassa: A1. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms

Corrente diretta (AV): 0.115A. VRRM: 25V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 0.115A. VRRM: 35V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 155A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 20mA. RM (min): 5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.83V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, conduttori assiali. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us

Corrente diretta (AV): 0.5A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Do: 1.8pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione. RM (max): 25uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 7.3x22mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 10V

Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: sì. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): DO-41. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Corrente diretta (AV): 1.2A. VRRM: 50V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Quantità per scatola: 1. Diodo Tff(25°C): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 2uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Corrente diretta (AV): 0.75A. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 1.5A. VRRM: 650V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GR

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: montaggio del dissipatore di calore. Nota: 4.2x4.3mm. RM (max): 140uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: 97053100. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 4.2x4.3mm. RM (max): 140uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifms 70Ap

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: sì. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifms 70Ap

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 140uA. RM (min): 3uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.6V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corrente diretta (AV): 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57. VRRM: 1200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 1000 ns. Nota: 30App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 12A. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Monitor CRT-GI. Nota: TO-220, SOD113 (custodia in plastica). Nota: 48...82kHz

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50°C...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS