Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 0.5A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Do: 1.8pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione. RM (max): 25uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 7.3x22mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 10V

Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: sì. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): DO-41. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 1.2A. VRRM: 50V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Quantità per scatola: 1. Diodo Tff(25°C): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 2uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V

Corrente diretta (AV): 0.75A. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 1.5A. VRRM: 650V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GR

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: montaggio del dissipatore di calore. Nota: 4.2x4.3mm. RM (max): 140uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: 97053100. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 4.2x4.3mm. RM (max): 140uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifms 70Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: sì. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Numero di terminali: 2. Spec info: Ifms 70Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 140uA. RM (min): 3uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.6V

Corrente diretta (AV): 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57. VRRM: 1200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 1000 ns. Nota: 30App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 12A. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 48...82kHz. Nota: Monitor CRT-GI. Nota: TO-220, SOD113 (custodia in plastica)

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50°C...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): 220A. Numero di terminali: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifiers. RM (max): 20uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 5uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 20uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Diodo raddrizzatore a recupero rapido". RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V

Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Diodo raddrizzatore a recupero rapido". Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 20Ap f=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 2.3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: S,contr,av. Nota: 45App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diametro: 12.75mm. Do: 250pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+215°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diametro: 12.75mm. Do: 250pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+215°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V