Diodi standard e raddrizzatori

Nota: Diodo varicap

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 155A. RM (max): 20mA. RM (min): 5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.83V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 90V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, conduttori assiali. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us

Do: 1.8pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione. Corrente diretta (AV): 0.5A. IFSM: 30A. RM (max): 25uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 7.3x22mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): 7.3x22mm. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 10V. VRRM: 12000V

RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): DO-41. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.2A. VRRM: 50V

Quantità per scatola: 1. Diodo Tff(25°C): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 20A. RM (max): 2uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass passivated. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V. VRRM: 2000V. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.75A. VRRM: 600V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. Nota: GR. VRRM: 650V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: montaggio del dissipatore di calore. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Nota: 4.2x4.3mm. RM (max): 140uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: 97053100. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Nota: 4.2x4.3mm. RM (max): 140uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 70A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: Ifms 70Ap

RoHS: sì. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 70A. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Spec info: Ifms 70Ap

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 30A. RM (max): 140uA. RM (min): 3uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.6V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 4A. Nota: 1000 ns. Nota: 30App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57. VRRM: 1200V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 12A. Nota: Monitor CRT-GI. Nota: TO-220, SOD113 (custodia in plastica). VRRM: 1500V. Nota: 48...82kHz

Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (max): 10uA. RM (min): uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50°C...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (max): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifiers. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (max): 20uA. RM (min): 20uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (max): 5uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. RM (max): 20uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Diodo raddrizzatore a recupero rapido". Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms)

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Diodo raddrizzatore a recupero rapido". Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 20Ap f=10ms

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2.3A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Nota: S,contr,av. Nota: 45App/10ms