Diodi standard e raddrizzatori

Diametro: 12.75mm. Do: 250pF. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente diretta (AV): 35A. IFSM: 400A. RoHS: sì. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+215°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Diametro: 12.75mm. Do: 250pF. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente diretta (AV): 35A. IFSM: 400A. RoHS: sì. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+215°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Diametro: 12.75mm. Do: 430pF. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: sì. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Diametro: 12.75mm. Do: 430pF. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: sì. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 30A. RM (max): 1mA. RM (min): 100uA. Marcatura sulla cassa: BYS109. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Peso: 0.064g. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 90V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 16 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 60A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms)

Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. Tr: 50 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. VRRM: 500V. Nota: Vf<1.05V. Nota: S-L ->I<-. Nota: 50A/10ms

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 200A. RM (max): 5mA. RM (min): 100uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Nota: parte metallica collegata al catodo. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione e rettifica rapida. Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Tr: 200 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.25A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Nota: Raddrizzatori veloci Mesa al silicio. Nota: 30App/10ms

Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Do: 220pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 20A. RM (max): 10mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: IFSM--20A t=10ms

Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.07V. Tensione diretta Vf (min): 0.88V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS

Do: 190pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo in vetro sinterizzato Avalanche veloce . Data di produzione: 201412. Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: BYV28-200. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Do: 125pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Corrente diretta (AV): 3.1A. IFSM: 90A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.93V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 9A. IFSM: 100A. RM (max): 50uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC ( SOD59 ). Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. VRRM: 500V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 125A. Marcatura sulla cassa: BYV32E-200. Equivalenti: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT78 (TO-220AB). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Marcatura sulla cassa: BYV34-500. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB, SOT78. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. VRRM: 500V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms

Do: 15pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatori veloci Mesa al silicio. Data di produzione: 2013/40. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass passivated. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms)

Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 75A. RM (max): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Funzione: Diodi raddrizzatori, ultraveloci, robusti. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode