Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifiers. RM (max): 20uA. RM (min): 20uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 5uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 20uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS

Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. VRRM: 200V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Diodo raddrizzatore a recupero rapido". RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms)

Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Diodo raddrizzatore a recupero rapido". RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 20Ap f=10ms

Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Corrente diretta (AV): 2.3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: S,contr,av. Nota: 45App/10ms

Corrente diretta (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diametro: 12.75mm. Do: 250pF. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sì. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+215°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Corrente diretta (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diametro: 12.75mm. Do: 250pF. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sì. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+215°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diametro: 12.75mm. Do: 430pF. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sì. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diametro: 12.75mm. Do: 430pF. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sì. Peso: 10g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 1mA. RM (min): 100uA. Marcatura sulla cassa: BYS109. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Peso: 0.064g. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 16 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms)

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 500V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Tr: 50 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. Nota: Vf<1.05V. Nota: S-L ->I<-. Nota: 50A/10ms

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 5mA. RM (min): 100uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V. Numero di terminali: 2. Nota: parte metallica collegata al catodo. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms

Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione e rettifica rapida. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 200 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Numero di terminali: 2

Corrente diretta (AV): 1.25A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: Raddrizzatori veloci Mesa al silicio. Nota: 30App/10ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 20A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Do: 220pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 10mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. Spec info: IFSM--20A t=10ms

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.07V. Tensione diretta Vf (min): 0.88V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS