Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. VRRM: 40V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. VRRM: 40V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V

Nota: Uf 0.98V. Nota: Ifsm--65App. Nota: Diodo a recupero ultra rapido

Corrente diretta (AV): 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. VRRM: 200V. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 275A. Alloggiamento: DO-4. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-4P. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Funzione: diodo di potenza. Filettatura boccola: M5. Peso: 6g. Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -25...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Spec info: 275App/10ms

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 275A. Alloggiamento: DO-4. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-4P. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Funzione: diodo di potenza. Filettatura boccola: M5. Peso: 6g. Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -25...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: 275App/10ms

Corrente diretta (AV): 40A. IFSM: 600A. Alloggiamento: DO-5. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-5P. VRRM: 800V. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Funzione: diodo di potenza. Filettatura boccola: M6. Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -25...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Spec info: 600App/10ms

Corrente diretta (AV): 40A. IFSM: 600A. Alloggiamento: DO-5. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-5P. VRRM: 800V. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Funzione: diodo di potenza. Filettatura boccola: M6. Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -25...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Spec info: 600App/10ms

Alloggiamento: DO-205. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-205AC. Nota: DO-8P invertito, filettatura M12. Nota: Alloggiamento filettato Anode, (alta corrente). Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari

Corrente diretta (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatori a recupero rapido". Temperatura: +125°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 255A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220L. VRRM: 800V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Recovery Rectifiers. RM (max): 500uA. RM (min): 20uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A)

Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 350A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.6V. Numero di terminali: 3. Nota: catodo (1), anodo (2), non collegato (3). Nota: Pacchetto TO220 isolato. Quantità per scatola: 1. Funzione: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Spec info: 350Ap

Corrente diretta (AV): 0.2A. Alloggiamento: SOT-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-323. VRRM: 20V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Marcatura sulla cassa: UMD3. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Nota: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafia/codice CMS UMD3

Corrente diretta (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Custodia (secondo scheda tecnica): 3x12mm. VRRM: 12000V. Do: 1.8pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione. RM (min): 5uA. Dimensioni: 3x12mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 40V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Corrente diretta (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Custodia (secondo scheda tecnica): 3x12mm. VRRM: 16000V. Do: 1.8pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione. RM (min): 5uA. Dimensioni: 3x12mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 40V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Corrente diretta (AV): 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: Ultrahigh-Definition Display Applications. Nota: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 180A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263. VRRM: 300V. Do: 90pF. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo ultraveloce ad alta efficienza. Marcatura sulla cassa: 20LC30. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 1500V. Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 20us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: DIODE-RECTIFIER. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: DGP30L. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 100Ap

Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: DAMPER +MODULATION. Nota: doppio diodo al silicio

Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): T0-220AB. VRRM: 1500V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: DAMPER +MODULATION. Nota: doppio diodo al silicio

Corrente diretta (AV): 11A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Pd (dissipazione di potenza, massima): 78W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.6V. Tensione diretta Vf (min): 2.2A. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente diretta (AV): 100A. IFSM: 600A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . RM (max): 20mA. RM (min): 1.5mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 357W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale (FRED)". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.55V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente diretta (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 20mA. RM (min): 1mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.17V. Unità di condizionamento: 10. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Funzione: doppio diodo a recupero rapido. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente diretta (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 15mA. RM (min): 1.5mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Tempo di consegna: KB. Assemblaggio/installazione: vite. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.87V. Tensione diretta Vf (min): 1.61V. Unità di condizionamento: 10. Quantità per scatola: 2. Nota: diodo epitassiale, alta corrente. Nota: 900App/10ms, 45°C. Funzione: doppio diodo a recupero rapido. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente diretta (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 20mA. RM (min): 1mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 357W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.89V. Unità di condizionamento: 10. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 4. Funzione: doppio diodo a recupero rapido. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C