Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatori a recupero rapido". Numero di terminali: 3. Temperatura: +125°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.6V

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 255A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220L. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Recovery Rectifiers. RM (max): 500uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.6V

Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 350A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Nota: catodo (1), anodo (2), non collegato (3). Nota: Pacchetto TO220 isolato. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: 350Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.6V

Corrente diretta (AV): 0.2A. Alloggiamento: SOT-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-323. VRRM: 20V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafia/codice CMS UMD3. Marcatura sulla cassa: UMD3. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

Corrente diretta (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Custodia (secondo scheda tecnica): 3x12mm. VRRM: 12000V. Do: 1.8pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione. RM (min): 5uA. Dimensioni: 3x12mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 40V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Corrente diretta (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Custodia (secondo scheda tecnica): 3x12mm. VRRM: 16000V. Do: 1.8pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 3x12mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 40V

Corrente diretta (AV): 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Ultrahigh-Definition Display Applications. Nota: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 180A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263. VRRM: 300V. Do: 90pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo ultraveloce ad alta efficienza. Marcatura sulla cassa: 20LC30. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 1500V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 20us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: DIODE-RECTIFIER. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: DGP30L. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V

Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: doppio diodo al silicio. Nota: DAMPER +MODULATION. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): T0-220AB. VRRM: 1500V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: doppio diodo al silicio. Nota: DAMPER +MODULATION. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 11A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 78W. RoHS: sì. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.6V. Tensione diretta Vf (min): 2.2A

Corrente diretta (AV): 100A. IFSM: 600A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . RM (max): 20mA. RM (min): 1.5mA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 357W. RoHS: sì. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale (FRED)". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.55V

Corrente diretta (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 10. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: doppio diodo a recupero rapido. RM (max): 20mA. RM (min): 1mA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: vite. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.17V

Corrente diretta (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 10. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: doppio diodo a recupero rapido. Nota: diodo epitassiale, alta corrente. Nota: 900App/10ms, 45°C. RM (max): 15mA. RM (min): 1.5mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tempo di consegna: KB. Assemblaggio/installazione: vite. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.87V. Tensione diretta Vf (min): 1.61V

Corrente diretta (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 10. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: doppio diodo a recupero rapido. RM (max): 20mA. RM (min): 1mA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 357W. RoHS: sì. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: vite. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.89V

Corrente diretta (AV): 37A. IFSM: 375A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V

Corrente diretta (AV): 37A. IFSM: 375A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 138W. RoHS: sì. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V. Tensione diretta Vf (min): 2V

Corrente diretta (AV): 28A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 138W. RoHS: sì. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.55V. Tensione diretta Vf (min): 2.2V

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 189W. RoHS: sì. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V

Corrente diretta (AV): 52A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 189W. RoHS: sì. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.55V. Tensione diretta Vf (min): 2V

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Do: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Raddoppiare: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . RM (max): 100uA. RM (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale (FRED)". Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 90A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . RM (max): 0.5mA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. RoHS: sì. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.79V

Corrente diretta (AV): 70A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . RM (max): 2.5mA. RM (min): 650uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.66V. Tensione diretta Vf (min): 1.74V

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 10. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . RM (max): 2.5mA. RM (min): 650uA. Configurazione: custodia isolata, senza foratura. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.66V. Tensione diretta Vf (min): 1.74V