Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 20mA. RM (min): 0.1mA. Marcatura sulla cassa: B20100G. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 150App/60Hz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V

Alloggiamento: TO220. VRRM: 200V. Corrente raddrizzata media per diodo: 10A. Tipo di diodo: debole. Tensione diretta (massima): <0.90V / 10A. Tipo di montaggio: THT. Corrente di dispersione inversa: 1mA / 200V. Serie: MBR20

Corrente diretta (AV): 10A/diode. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: total 20A, IFSM 150App. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Nota: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Nota: 20A/150App. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1500. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: Sb. Marcatura sulla cassa: B360. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.08V. Tensione diretta Vf (min): 0.6V

Alloggiamento: TO218. VRRM: 45V. Corrente raddrizzata media per diodo: 20A. Tipo di diodo: debole. Tensione diretta (massima): <0.60V / 20A. Tipo di montaggio: THT. Corrente di dispersione inversa: 1mA / 45V. Serie: MBR40

Corrente diretta (AV): 40A (2x20A). IFSM: 400A (2x200A). Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 45V. Quantità per scatola: 2. Materiale dielettrico: catodo comune. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V

Corrente diretta (AV): 7.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: diodo per la commutazione dell alimentazione. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

VRRM: 200V. Corrente raddrizzata media per diodo: 10A. Tipo di diodo: debole. Tipo di montaggio: SMD. Corrente di dispersione inversa: 1mA / 200V. Serie: MBRB

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: doppio diodo al silicio. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 150Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA. VRRM: 90V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. Marcatura sulla cassa: B19. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD B19. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 130A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B310. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: B320. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Vf 0.84V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.84V. Tensione diretta Vf (min): 0.84V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 40V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B34. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Vf 0.525V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.525V. Tensione diretta Vf (min): 0.525V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B36. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Tensione diretta Vf (min): 0.74V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B36. Equivalenti: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Tensione diretta Vf (min): 0.74V

Corrente diretta (AV): 75A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: TO-240. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-240AA. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: modulo diodo, "Diodo epitassiale a recupero rapido (FRED)". Nota: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Nota: dimensioni 92x20,8x30 mm. Nota: Modulo a 2 diodi. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: isolamento 3600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.58V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V

Corrente diretta (AV): 880A. IFSM: n/a. VRRM: 400V. Piedinatura: Viti M6 (x3). Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 220 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Modulo diodo di rete, alta corrente. Numero di terminali: 3. Dimensioni: 94x34x30mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1100W. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Isolamento elettrico: 3600V, 50/60Hz. Tecnologia: diodo a doppio catodo comune (HiPerFREDTM). Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: diametro 8 mm x 7,5 mm. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 110A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo a recupero ultraveloce. Nota: diodo ultraveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 110Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.9V

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C

Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: MUR460. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.28V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 550A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Diodo a recupero ultra rapido. Marcatura sulla cassa: MUR 6060. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce. Marcatura sulla cassa: U8100E. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce. Marcatura sulla cassa: U820. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V