Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 1A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GL

Corrente diretta (AV): 3A. VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. VRRM: 150V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: catodo comune. Nota: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Nota: Ifsm 125Aps/8.3ms. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 200V. Do: 175pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Doppio diodo raddrizzatore ultraveloce, catodo comune. Nota: catodo comune. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Do: 145pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Doppio diodo raddrizzatore ultraveloce, catodo comune. Nota: catodo comune. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 1200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: alta tensione e alta affidabilità. Nota: Commutazione ad alta velocità. Nota: Ifsm--30App

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 60A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35ms. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast with soft recovery. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Bassa tensione diretta. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 32 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.15V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 50A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-2L. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 34 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.2V. Tensione diretta Vf (min): 2V

Corrente diretta (AV): 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-3. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Diodo Trr (min.): 90 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Smorzatore + Diodo di modulazione . Nota: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Nota: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C

Corrente diretta (AV): 50A. IFSM: 280A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SMPS, inverter solari, UPS, circuiti di commutazione di potenza. RM (max): 400uA. RM (min): 200uA. Numero di terminali: 2. Diodo Schottky?: sì. Spec info: Ifsm--280App. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.45V

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 40V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 100 ns. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: Diodo Schottky. Nota: doppio diodo al silicio. Nota: Ifsm--60A/50Hz. Numero di terminali: 3. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V

Corrente diretta (AV): 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220/2. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220/2. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG CHASS.KS3A D802. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: SAMSUNG. Nota: -RECTIFIER

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 0402-000491. Nota: YG911S2. Nota: -RECTIFIER. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 2.5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG 0402-000431. Nota: diodo raddrizzatore. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3P. Nota: doppio diodo al silicio. Nota: DAMPER +MODULATION. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: doppio diodo al silicio. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--50A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: "Raddrizzatori a recupero rapido". Nota: 30App/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatori a recupero rapido". RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 30App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V

Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 60App/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 60App/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 1000V. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V