Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S

Corrente diretta (AV): 3A. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 9x7mm. Nota: MONITOR DAMP. Nota: D09.15

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1D. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Nota: Diodo raddrizzatore a montaggio superficiale super veloce

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1G. Numero di terminali: 2. Nota: Diodo raddrizzatore a montaggio superficiale super veloce

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1J. Numero di terminali: 2. Nota: Diodo raddrizzatore a montaggio superficiale super veloce

Corrente diretta (AV): 30A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. VRRM: 40V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--250A. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: doppio diodo al silicio

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 80A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3FP. VRRM: 1500V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Diodo Trr (min.): 0.15us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore ad altissima velocità a basse perdite. Nota: DAMPER +MODULATION. Marcatura sulla cassa: CO23M-15 (C023M-15). Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 200V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: ULTRA FAST ->l<-. Nota: Ifsm--50A/10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 0.8A. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Doppio diodo a recupero rapido. Nota: catodo comune. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms)

Corrente diretta (AV): 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 30Ap/8.3ms

Corrente diretta (AV): 1A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GL

Corrente diretta (AV): 3A. VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. VRRM: 150V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Nota: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Nota: Ifsm 125Aps/8.3ms

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 200V. Do: 175pF. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Doppio diodo raddrizzatore ultraveloce, catodo comune. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Do: 145pF. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Doppio diodo raddrizzatore ultraveloce, catodo comune. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 1200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Ifsm--30App. Nota: alta tensione e alta affidabilità

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 60A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35ms. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast with soft recovery. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Bassa tensione diretta

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 32 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.15V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 50A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-2L. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 34 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.2V. Tensione diretta Vf (min): 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns

Corrente diretta (AV): 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-3. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Diodo Trr (min.): 90 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Smorzatore + Diodo di modulazione . RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Nota: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap

Corrente diretta (AV): 50A. IFSM: 280A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 400uA. RM (min): 200uA. Diodo Schottky?: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.45V. Numero di terminali: 2. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Funzione: SMPS, inverter solari, UPS, circuiti di commutazione di potenza. Spec info: Ifsm--280App

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 40V. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 100 ns. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--60A/50Hz. Unità di condizionamento: 50. Nota: doppio diodo al silicio

Corrente diretta (AV): 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220/2. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2