Diodi standard e raddrizzatori

Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1600V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Standard Rectifier. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: gamba centrale (catodo D1, anodo D2, in serie). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.16V

Corrente diretta (AV): 6A. Corrente diretta (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1500V. Diodo Trr (min.): 75 ns. Varie: Diodo smorzatore ad alta tensione. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT Horizontal Deflection. RM (max): 1mA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V

Corrente diretta (AV): 15A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Nota: Diodo smorzatore ad alta tensione. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 130 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SPEC.SONY DIODA. Nota: SONY 871904678

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Raddrizzatori ad alta efficienza. Nota: 30Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 400V. Do: 100pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Diode. Nota: Gl, S. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 150Ap / 8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 30Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Do: 15pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 300uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 300uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

Corrente diretta (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Materiale semiconduttore: silicio

VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG. Nota: B29-04.79

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S

Corrente diretta (AV): 3A. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 9x7mm. Nota: MONITOR DAMP. Nota: D09.15

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Diodo raddrizzatore a montaggio superficiale super veloce. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1G. Numero di terminali: 2

Corrente diretta (AV): 30A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. VRRM: 40V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: doppio diodo al silicio. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--250A. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 80A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3FP. VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Diodo Trr (min.): 0.15us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore ad altissima velocità a basse perdite. Nota: DAMPER +MODULATION. Marcatura sulla cassa: CO23M-15 (C023M-15). Numero di terminali: 3. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 200V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: ULTRA FAST ->l<-. Nota: Ifsm--50A/10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 0.8A. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Doppio diodo a recupero rapido. Nota: catodo comune. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 1A. Custodia (secondo scheda tecnica): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 30Ap/8.3ms