Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 37A. IFSM: 375A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente diretta (AV): 37A. IFSM: 375A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Pd (dissipazione di potenza, massima): 138W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V. Tensione diretta Vf (min): 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente diretta (AV): 28A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Pd (dissipazione di potenza, massima): 138W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.55V. Tensione diretta Vf (min): 2.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Pd (dissipazione di potenza, massima): 189W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente diretta (AV): 52A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Pd (dissipazione di potenza, massima): 189W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.55V. Tensione diretta Vf (min): 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Do: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Raddoppiare: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . RM (max): 100uA. RM (min): 50uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale (FRED)". Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 90A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . RM (max): 0.5mA. RM (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.79V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C

Corrente diretta (AV): 70A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . RM (max): 2.5mA. RM (min): 650uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.66V. Tensione diretta Vf (min): 1.74V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . RM (max): 2.5mA. RM (min): 650uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.66V. Tensione diretta Vf (min): 1.74V. Unità di condizionamento: 10. Numero di terminali: 2. Configurazione: custodia isolata, senza foratura. Quantità per scatola: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C

Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1600V. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Standard Rectifier. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.16V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: gamba centrale (catodo D1, anodo D2, in serie)

Corrente diretta (AV): 6A. Corrente diretta (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1500V. Diodo Trr (min.): 75 ns. Varie: Diodo smorzatore ad alta tensione. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT Horizontal Deflection. RM (max): 1mA. RM (min): 100uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Numero di terminali: 2

Corrente diretta (AV): 15A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Nota: Diodo smorzatore ad alta tensione

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 130 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Temperatura: +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS

Corrente diretta (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SPEC.SONY DIODA. Nota: SONY 871904678

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: 30Ap/8.3ms. Nota: Raddrizzatori ad alta efficienza

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 400V. Do: 100pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Diode. Nota: Gl, S. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: 150Ap / 8.3ms

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Do: 15pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 300uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 300uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

Corrente diretta (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Materiale semiconduttore: silicio

VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG. Nota: B29-04.79