Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: sì. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U1D. RM (max): 50uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: U1D. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U1J. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: U1J. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U3D. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V

VRRM: 1000V. Corrente raddrizzata media per diodo: 20A. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Configurazione del diodo: indipendente. Tipo di montaggio: THT. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Do: 150pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 6A08. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 10A. Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323F. VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky (serie Mega). Marcatura sulla cassa: EQ. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.66V. Tensione diretta Vf (min): 0.21V

IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): A-405 (5.2x2.7mm). VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Nota: DAEWOO TV

Nota: SONY TV

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 530V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 23 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Silicon epitaxial planer. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 1.65V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Nota: GI, S. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 2A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 1000V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifier. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--70Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio

VRRM: 1000V. Corrente raddrizzata media per diodo: 2A. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <1.15V / 2A. Tipo di montaggio: SMD. Corrente di dispersione inversa: <100uA / 1000V. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Serie: S2

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 4.2x4.3mm. Nota: 50App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.15V. Tensione diretta Vf (min): 1.15V

Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.7V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 40V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.7V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Do: 175pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 6mA. RM (min): 0.001mA. Marcatura sulla cassa: SB3200. Equivalenti: Vishay--VSB3200. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.9V. Tensione diretta Vf (min): 0.68V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 200V. Do: 120pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 0.5mA. RM (min): 0.1mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.9V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V

Alloggiamento: TO220. VRRM: 100V. Corrente raddrizzata media per diodo: 10A. Tipo di diodo: debole. Tensione diretta (massima): <0.85V / 10A. Tipo di montaggio: THT. Corrente di dispersione inversa: 100uA / 100V. Serie: SCBT20