Diodi standard e raddrizzatori

Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . Corrente diretta (AV): 70A. IFSM: 500A. RM (max): 2.5mA. RM (min): 650uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.66V. Tensione diretta Vf (min): 1.74V. VRRM: 1200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C

Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. RM (max): 2.5mA. RM (min): 650uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.66V. Tensione diretta Vf (min): 1.74V. VRRM: 1200V. Unità di condizionamento: 10. Numero di terminali: 2. Configurazione: custodia isolata, senza foratura. Quantità per scatola: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C

Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Standard Rectifier. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.16V. VRRM: 1600V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: gamba centrale (catodo D1, anodo D2, in serie)

Diodo Trr (min.): 75 ns. Varie: Diodo smorzatore ad alta tensione. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT Horizontal Deflection. Corrente diretta (AV): 6A. Corrente diretta (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). RM (max): 1mA. RM (min): 100uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Tensione di soglia Vf (max): 2.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V. Numero di terminali: 2

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 15A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Nota: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Nota: Diodo smorzatore ad alta tensione

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 130 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 75A. Temperatura: +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1500V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Nota: SPEC.SONY DIODA. Nota: SONY 871904678

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Nota: 30Ap/8.3ms. Nota: Raddrizzatori ad alta efficienza

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V

Do: 100pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Diode. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 150A. Nota: Gl, S. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Spec info: 150Ap / 8.3ms

Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap

Do: 15pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (max): 300uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB / DO214AA. Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (max): 300uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC / DO214AB. Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.5A. VRRM: 800V

Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG. Nota: B29-04.79. VRRM: 400V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. Nota: GI, S. VRRM: 200V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: 9x7mm. Nota: MONITOR DAMP. Nota: D09.15. VRRM: 1500V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1G. Numero di terminali: 2. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Nota: Diodo raddrizzatore a montaggio superficiale super veloce

Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 30A. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--250A. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. VRRM: 40V. Nota: doppio diodo al silicio

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Diodo Trr (min.): 0.15us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore ad altissima velocità a basse perdite. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 80A. Nota: DAMPER +MODULATION. Marcatura sulla cassa: CO23M-15 (C023M-15). Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3FP. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: ULTRA FAST ->l<-. Nota: Ifsm--50A/10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 200V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.8A. Nota: GI, S. VRRM: 600V