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MURS120T3G

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MURS120T3G. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. RM (max): 50uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: U1D. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U1D. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.

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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: U1J. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U1J
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