Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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RGP20D

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RGP20D. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm. VRRM: 200V. Nota: GI, S. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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BYV28-200

BYV28-200

Do: 190pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: s...
BYV28-200
Do: 190pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo in vetro sinterizzato Avalanche veloce . Data di produzione: 201412. Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: BYV28-200. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS
BYV28-200
Do: 190pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo in vetro sinterizzato Avalanche veloce . Data di produzione: 201412. Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: BYV28-200. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS
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1N5711

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Do: 2pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Rilevazione VH...
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SGW30N60HS

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-...
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Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: si...
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BY448

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Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semi...
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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Cor...
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
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BAT41

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali. Alloggiamento: saldatura PCB....
BAT41
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BYV29-500

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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Fun...
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