Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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RGP20D

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10 - 24 0.54€ 0.66€
25 - 28 0.52€ 0.63€
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RGP20D. Corrente diretta (AV): 2A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm. Prodotto originale del produttore General Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.

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BYV28-200

BYV28-200

Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda te...
BYV28-200
Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Do: 190pF. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo in vetro sinterizzato Avalanche veloce . Data di produzione: 201412. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: BYV28-200. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.89V
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Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Do: 190pF. Unità di condizionamento: 2500. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo in vetro sinterizzato Avalanche veloce . Data di produzione: 201412. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: BYV28-200. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.89V
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BYV28-600

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Corrente diretta (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda te...
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1N5711

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SGW30N60HS

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Transistor IGBT. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT. Alloggiamento: saldatura PCB. A...
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BYV26C

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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecn...
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Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecn...
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MUR160

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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
MUR160
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali. Alloggiamento: saldatura PCB....
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Corrente diretta (AV): 9A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-...
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